電子束照射測(cè)試樣品時(shí)，會(huì)產(chǎn)生背散射電子、二次電子、吸收電子、透射電子、俄歇電子、特征X射線等物理信號(hào)。

　　（1）背散射電子的特征：

　　1)彈性背散射電子遠(yuǎn)比非彈性背散射電子所占的份額多；

　　2)能量高，例如彈性背散射，能量達(dá)數(shù)千至數(shù)萬eV；

　　)背散射電子束來自樣品表面幾百nm深度范圍；

　　4)其產(chǎn)額隨原子序數(shù)增大而增多；

　　5)用作形貌分析、成分分析（原子序數(shù)襯度）以及結(jié)構(gòu)分析。

　　（2）二次電子的特征

　　1)二次電子能量較低。一般不超過50eV，大部分幾eV；

　　2)來自表層5—10nm深度范圍；

　　3)對(duì)樣品表面的狀態(tài)十分敏感，因此能有效地反映樣品表面的形貌；

　　4)其產(chǎn)額與原子序數(shù)間沒有明顯的依賴關(guān)系。因此，不能進(jìn)行成分分析。

　　（3）吸收電子的特征：

　　1）與背散射電子的襯度互補(bǔ)。入射電子束射入一個(gè)多元素樣品中時(shí)，背散射電子較多的部位（Z較大）其吸收電子的數(shù)量就減少，反之亦然；

　　2）吸收電子能產(chǎn)生原子序數(shù)襯度，即可用來進(jìn)行定性的微區(qū)成分分析。

　　（4）透射電子的特征：

　　1）透射電子信號(hào)由微區(qū)的厚度，成分和晶體結(jié)構(gòu)決定。

　　2）可配合電子能量分析器進(jìn)行微區(qū)成分分析。即電子能量損失譜EELS。

　　（5）俄歇電子的特征：

　　1）各元素的俄歇電子能量值很低，50～1500eV；

　　2）來自樣品表面1—2nm范圍。其平均自由程很小（＜1nm），較深區(qū)域產(chǎn)生的俄歇電子向表面運(yùn)動(dòng)時(shí)必然會(huì)因碰撞損失能量而失去特征值的特點(diǎn)。因此，只有在距表面1nm左右范圍內(nèi)逸出的俄歇電子才具有特征能量。因此它適合做表面分析。

　　（6）特征X射線的特征：

　　特征：

　　1）用特征值進(jìn)行成分分析；

　　2）來自樣品較深的區(qū)域。